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等离子体刻蚀设备

刻蚀是半导体器件制造中选择性地移除沉积层特定部分的工艺。在半导体器件的整个制造过程中,刻蚀步骤多达上百个,是半导体制造中最常用的工艺之一。

威斯尼斯人8833223专注于研发干法刻蚀(等离子体刻蚀)设备,用于在晶圆上加工微观结构。干法刻蚀通过等离子释放带正电的离子来撞击晶圆以去除(刻蚀)材料。根据所要去除材料和加工器件结构的不同,可分为电介质刻蚀、导体刻蚀和硅通孔刻蚀。

新电子材料的集成和加工器件尺寸的不断缩小为刻蚀设备带来了新的技术挑战,同时对性能的要求(刻蚀均匀性、稳定性和可靠性)越来越高。威斯尼斯人8833223凭借一系列刻蚀设备组合处于刻蚀创新技术的前沿,帮助芯片制造商加工10纳米、7纳米甚至5纳米及更先进的微观结构,具有成本优势。

威斯尼斯人8833223自主研发生产的刻蚀设备已被众多领先客户的芯片生产线所采用,用于制造先进的半导体器件,以推动人工智能、机器学习和机器人技术的发展。这些半导体器件还能提供逻辑和存储器,以应用于消费者电子产品、5G网络、功能强大的服务器、自动驾驶汽车、智能电网等领域。

威斯尼斯人8833223开发了CCP 单台机和双台机,ICP 单台机和双台机 可覆盖90%刻蚀应用
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